特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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M1增速回落并非货币政策转向：信贷结构调整仍在进行中

北京讯 央行最新数据显示，5月末，狭义货币（M1）余额64.68万亿元，同比下降4.2%，增速较上月下降0.8个百分点；广义货币（M2）余额230.08万亿元，同比增长7.0%，增速较上月下降0.1个百分点。

M1和M2增速双双放缓，引发市场担忧货币政策是否转向收紧。对此，业内人士普遍认为，M1增速回落并非货币政策转向，而是信贷结构调整和季节性因素共同作用的结果。

从信贷结构看，5月企业和政府债券发行规模明显增加，同比多增近9000亿元。这反映出当前经济下行压力加大，企业和政府融资需求有所上升。同时，央行继续实施定向宽松货币政策，加大对小微企业、三农和民营经济的支持力度。这些因素都导致M1增速回落。

从季节性因素看，每年5月都是M1增速的季节性低点。因为企业通常会在5月份集中发放工资和奖金，导致现金需求增加，M1余额相应上升。而6月份企业开始回笼资金，M1余额有所下降。

央行印发《金融统计报告表说明》修订版，将M2增速纳入考核指标，体现了货币政策更加注重总量和结构的平衡。从当前情况看，M2增速仍处于较高水平，反映出市场流动性总体充裕。

下一步，央行将继续实施稳健货币政策，加大结构性调整力度，着力支持实体经济发展。同时，要密切关注M1增速变化，适时采取政策措施，保持流动性合理充裕。